Erbium-doped rejimi-Kilidli Fiber Lazer, aktiv bir vasitə kimi Erbium-Dope Optical lif istifadə edən bir lazerdir. Erbium-doped elementlər müəyyən bir dalğa uzunluğu aralığında yüngül enerjini udmaq və müəyyən bir dalğa uzunluğunun lazer fotonlarını emitləşdirmək olar. Mode-Locked Fiber Lazer, son dərəcə qısa paxlalı istehsal edə bilən və tez-tez elmi tədqiqat, rabitə texnologiyasında və material emalında istifadə olunan bir lazerdir.
Bugünkü lazer texnologiyasının sürətli inkişafı dövründə, bərk-dövlət lazerləri və lifli lazerlər, iki əsas əsas lazer məhsulları kimi hər biri sənaye istehsalı, elmi tədqiqat və hərbi tətbiqlər kimi bir çox sahələrdə özünəməxsus cazibədarlığını və üstünlüklərini nümayiş etdirdi.
Elektro-optik modulyator (eom) elektrik siqnalı vasitəsilə optik bir siqnalın gücünü, mərhələsini, mərhələsini və ya qütbləşməsini idarə edən bir cihazdır. Onun əsas prinsipi xətti elektro-optik effekti (cockels effekti) əsaslanır. Tətbiqi elektrik sahəsinin qeyri-xətti kristalın refraktiv indeks dəyişikliyinə mütənasib olduğu və bununla da optik siqnalın effektiv nəzarətinə nail olmaq mütənasibdir.
Birbaşa modulyasiya edilmiş lazer diode (DML) optik gücünü modulyasiya etmək üçün istifadə edilə bilər. DMM-də lazer çıxış gücü lazer qazanma mühitində nasos cərəyanını dəyişdirərək tənzimlənir. Nasos cərəyanı elektrik sürücüsü siqnalı ilə idarə olunur. Bu növ birbaşa aşkarlama (DD) sistemi, ümumiyyətlə, off açar (ook) istifadə edir. Başqa sözlə, DML-nin nasos cərəyanı ikili siqnallar vasitəsilə dəyişdirilir.
Yüksək çıxış xüsusiyyətlərini qoruyarkən kompakt bütün lif lazerlərindən birbaşa görünən işıq yaradan işığın hər zaman lazer texnologiyasında tədqiqat mövzusu olmuşdur. Burada ji və al. Holmium-doped Zblan Fluoride şüşə liflərində həyəcan mexanizmindən istifadə edərək ikili dalğa uzunluğunda lazerləri inkişaf etdirmək üçün bir üsul və 640 Nm pompalanan dərin qırmızı qrupda fəaliyyət göstərən bütün lif lazerlərin yüksək çıxış performansını əldə etdi. Qeyd edək ki, maksimum davamlı dalğa çıxışı 271 MVt 45,1 mVt olan 750 Nm-də 750 NM-də, bu, dərin qırmızı bantda 10 mkm-dən az olan bir lifli lazerlərdə qeydə alınan ən yüksək birbaşa çıxış gücü olan ən yüksək çıxış gücü ilə əldə edilmişdir.
Lazer Diode Chip, bir P-N quruluşundan ibarət və cari ilə təchiz edilmiş yarımkeçirici əsaslı lazerdir. Lazer Diode Paketi, gücləndirici işıq, temperaturun monitorinqi üçün temperaturun monitorinqi üçün bir temperatur sensoru çipi və ya lazer temperaturu üçün bir temperatur sensoru çipi, bir temperatur sensoru çipi və ya bir optik obyektiv yeməli bir photodiode çipi yaratmaq üçün möhürlənmiş bir paket korpusunda birləşdirilmiş bir cihazdır.
Müəllif hüquqları @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co, Ltd - Çin Fiber Optik modulları, lifli lazer istehsalçıları, lazer komponentləri Təchizatçılar Bütün hüquqlar qorunur.
