Yüksək çıxış xüsusiyyətlərini qoruyarkən kompakt bütün lif lazerlərindən birbaşa görünən işıq yaradan işığın hər zaman lazer texnologiyasında tədqiqat mövzusu olmuşdur. Burada ji və al. Holmium-doped Zblan Fluoride şüşə liflərində həyəcan mexanizmindən istifadə edərək ikili dalğa uzunluğunda lazerləri inkişaf etdirmək üçün bir üsul və 640 Nm pompalanan dərin qırmızı qrupda fəaliyyət göstərən bütün lif lazerlərin yüksək çıxış performansını əldə etdi. Qeyd edək ki, maksimum davamlı dalğa çıxışı 271 MVt 45,1 mVt olan 750 Nm-də 750 NM-də, bu, dərin qırmızı bantda 10 mkm-dən az olan bir lifli lazerlərdə qeydə alınan ən yüksək birbaşa çıxış gücü olan ən yüksək çıxış gücü ilə əldə edilmişdir.
Lazer Diode Chip, bir P-N quruluşundan ibarət və cari ilə təchiz edilmiş yarımkeçirici əsaslı lazerdir. Lazer Diode Paketi, gücləndirici işıq, temperaturun monitorinqi üçün temperaturun monitorinqi üçün bir temperatur sensoru çipi və ya lazer temperaturu üçün bir temperatur sensoru çipi, bir temperatur sensoru çipi və ya bir optik obyektiv yeməli bir photodiode çipi yaratmaq üçün möhürlənmiş bir paket korpusunda birləşdirilmiş bir cihazdır.
İşıqın qütbləşmə xüsusiyyətləri, elektrik sahəsinin vektorunun vibrasiya istiqamətinin təsviridir. Ümumilikdə beş qütbləşmə vəziyyəti var: tamamilə bölüşdürülməmiş işıq, qismən qütblü işıq, xətti qütblü işıq, elliptically qütblü işıq və dairəvi qütblü işıq
Bir nasos lazeri bir lif lazer və ya lif gücləndiricisi üçün həyəcan yüngül bir mənbəyi təmin etmək üçün istifadə olunan lazerdir. 980nm nasos lazerinin eniss dalğa uzunluğu təxminən 980 nanometrdir (Nm).
Ase genişzolaqlı Light tərəfindən yaradılan BROADBOL Lif, qısa dalğa uzunluğunda lazer nasosu erbium-doped lifi tərəfindən yaradılan spontan emissiya işığı gücləndirilmişdir. Aşağıdakı diaqramda göstərildiyi kimi, pompalanmış nadir torpaq ionları, stimullaşdırılmış emissiya prosesində gücləndirilmiş kortəbii emissiya işığı yaratmaq üçün yuxarı və aşağı enerji səviyyələri arasındakı keçid. Bu proses davamlı olaraq təkrarlanır və hətta kifayət qədər yüksək bir çıxış gücü kifayət qədər nasos şəraitində əldə edilə bilər. (Ase = gücləndirilmiş kortəbii emissiya, gücləndirilmiş kortəbii emissiya işığı)
Qütbləşmə qabiliyyəti üçün (PM) optik lif üçün, giriş xətti qütblü işığın qütbləşmə istiqamətinin sürətli ox və yavaş oxun ortasında, iki ortogonal qütbləşmə komponentinə parçalana bilər. Aşağıdakı rəqəmdə göstərildiyi kimi, iki işıq dalğası əvvəlcə eyni mərhələyə malikdir, lakin yavaş oxun refraktiv indeksi sürətli oxun bundan daha böyükdür, onların fazası fərqi təbliğat məsafəsi ilə xətti olaraq artıracaqdır.
Müəllif hüquqları @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co, Ltd - Çin Fiber Optik modulları, lifli lazer istehsalçıları, lazer komponentləri Təchizatçılar Bütün hüquqlar qorunur.
