Bu, içərisində onlarla və ya on milyardlarla tranzistordan ibarət inteqral sxemləri olan qablaşdırılmış çipdir. Mikroskop altında yaxınlaşdırdığımız zaman içərinin şəhər qədər mürəkkəb olduğunu görə bilərik. İnteqral sxem bir növ miniatür elektron cihaz və ya komponentdir. Struktur olaraq bir-biri ilə sıx əlaqəli və daxili əlaqəli elektron sxemlər yaratmaq üçün kiçik və ya bir neçə kiçik yarımkeçirici lövhələr və ya dielektrik altlıqlar üzərində hazırlanmış məftil və qarşılıqlı əlaqə ilə birlikdə. Nümunə olaraq ən əsas gərginlik bölücü dövrəni götürək, bunun çip daxilində effekti necə həyata keçirmək və yaratmaq olduğunu göstərmək olar.
İnteqrasiya edilmiş sxemlər yarımkeçirici texnologiya sayəsində kiçik edilə bilər. Saf silisium yarımkeçiricidir, yəni elektrik cərəyanını keçirmə qabiliyyəti izolyatorlardan daha pisdir, lakin metallar qədər yaxşı deyil. Beləliklə, az sayda mobil yük silikonu yarımkeçirici edir. Lakin çip iş-dopinq üçün gizli silah əvəzolunmazdır. Silikon üçün iki dopinq növü var, P-tipi və N-tipi. N tipli silikon elektrik cərəyanını elektronlar (elektronlar mənfi yüklüdür), P tipli silikon isə elektrik cərəyanını deşiklər (çoxlu sayda müsbət yüklü dəliklər) vasitəsilə keçirir. Gərginlik bölücü dövrəsindəki keçid çipdə nə kimi görünür və necə işləyir?
İnteqral sxemdə keçid funksiyası bir növ elektron keçid olan tranzistor gövdəsidir. Ümumi MOS borusu MOS borusudur və MOS borusu P tipli silikon substratda N tipli və P tipli yarımkeçiricilərdən hazırlanır. İki N-tipli silisium bölgəsi hazırlanmışdır. Bu iki N-tipli silikon bölgə MOS borusunun Mənbə elektrodu və Drenaj elektrodudur. Sonra Mənbə və Drenajın orta sahəsinin üstündə silikon dioksid təbəqəsi hazırlanır və sonra silikon dioksid örtülür. Bir dirijor təbəqəsi, bu dirijor təbəqəsi MOS borusunun GATE dirəyidir. P tipli materialda çoxlu sayda deşik və yalnız bir neçə elektron var və dəliklər müsbət yüklüdür, ona görə də sahənin bu hissəsində müsbət yüklü dəliklər üstünlük təşkil edir və az sayda mənfi yüklü elektronlar var və N tipli sahə mənfi yüklüdür. Elektronika üstünlük təşkil edir.
Bir kranın bənzətməsindən istifadə edək. Ən doğrusu Mənbədir. Biz buna mənbə deyirik, bu da suyun çıxdığı yerdir. Ortadakı darvaza su klapanına bərabər olan qapıdır. Sol tərəfdəki drenaj suyun sızdığı yerdir. Su axını kimi, elektronlar da mənbədən drenaja axır. Sonra ortada P materialı olan bir maneə var. P materialında çoxlu sayda müsbət yüklü dəliklər var və elektronlar dəliklərlə görüşür. O, zərərsizləşdirilib və keçə bilmir. onda biz nə etməliyik? P tipli materialda mənfi yüklü elektronları cəlb etmək üçün şəbəkəyə müsbət yük əlavə edə bilərik. P tipli materialda elektronların çox olmamasına baxmayaraq, şəbəkəyə müsbət yük əlavə etmək yenə də bir kanal yaratmaq üçün bəzi elektronları cəlb edə bilər. Elektron keçir. Xülasə ondan ibarətdir ki, mənbə davamlı olaraq elektronların drenaja axmasını təmin edən elektronların mənbəyidir, lakin onlar şəbəkədən keçə bilərmi? Şəbəkə MOS borusunun açılmasını və bağlanmasını idarə edən bir klapan, açar kimidir. Bu, elektron keçid kimi MOS borusunun prinsipidir.
İndi elektron keçid məlumdur, gəlin müqavimətin reallaşmasına baxaq. Əvvəlcə P tipli silikon substratda N tipli bir sahə düzəldin və sonra N1 və N2 iki rezistor olması üçün N tipli sahənin iki ucunu çıxarmaq üçün metaldan istifadə edin. Bu, sondur, buna görə gərginlik bölücü dövrəsinin inteqral sxemi, dövrənin əlaqə əlaqəsinə uyğun olaraq, silikon çipdə haqqında danışdığımız MOS boru və rezistoru birləşdirmək üçün metaldan istifadə etməkdir.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies.
Privacy Policy
