200um InGaAs Avalanche Fotodiod Çipi
  • 200um InGaAs Avalanche Fotodiod Çipi200um InGaAs Avalanche Fotodiod Çipi

200um InGaAs Avalanche Fotodiod Çipi

200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip aşağı qaranlıq, aşağı tutumlu və yüksək uçqun qazancına malik olmaq üçün xüsusi olaraq hazırlanmışdır. Bu çipdən istifadə edərək yüksək həssaslığa malik optik qəbuledici əldə etmək olar.

Sorğu göndərin

Məhsul təsviri

1. 200um InGaAs Avalanche Fotodiod Çipinin xülasəsi

200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip aşağı qaranlıq, aşağı tutumlu və yüksək uçqun qazancına malik olmaq üçün xüsusi olaraq hazırlanmışdır. Bu çipdən istifadə edərək yüksək həssaslığa malik optik qəbuledici əldə etmək olar.

2. 200um InGaAs Avalanche Fotodiod Çipinin tətbiqi

200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip aşağı qaranlıq, aşağı tutumlu və yüksək uçqun qazancına malik olmaq üçün xüsusi olaraq hazırlanmışdır. Bu çipdən istifadə edərək yüksək həssaslığa malik optik qəbuledici əldə etmək olar.

3. 200um InGaAs Avalanche Fotodiod Çipinin xüsusiyyətləri

900nm-1650nm diapazonunu aşkar edin;

Yüksək sürət;

Yüksək cavabdehlik;

Aşağı tutum;

Aşağı qaranlıq cərəyan;

Üstdən işıqlandırılmış planar quruluş.

4. 200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip tətbiqi

Monitorinq;

Fiber-optik Alətlər;

Məlumat Kommunikasiyaları.

5. 200um InGaAs Avalanche Fotodiod Çipinin Mütləq Maksimum Qiymətləri

Parametr Simvol Dəyər Vahid
Maksimum irəli cərəyan - 10 mA
Maksimum gərginlik təchizatı - VBR V
İşləmə temperaturu Topr -40 ilə +85 arasında
Saxlama temperaturu Tstg -55-dən +125-ə qədər

6. 200um InGaAs Avalanche Fotodiod Çipinin Elektro-Optik Xüsusiyyətləri (T=25℃)

Parametr Simvol Vəziyyət Min. Tip. Maks. Vahid
Dalğa uzunluğu diapazonu λ   900 - 1650 nm
Qırılma gərginliyi VBR İd =10uA 40 - 60 V
VBR-nin temperatur əmsalı - - - 0.12 - V/℃
Məsuliyyət R VR =VBR -4V 9 10 - A/W
Qaranlıq cərəyan ID VBR -4V - 6.0 30 nA
Tutum C VR =38V, f=1MHz - 1.6 - pF
Bant genişliyi Bw - - 2.0 - GHz

7. 200um InGaAs Avalanche Fotodiod Çipinin Ölçü Parametri

Parametr Simvol Dəyər Vahid
Aktiv sahənin diametri D 200 um
Bağlama yastığı diametri - 60 um
Ölçü ölçüsü - 350x350 um
Kalıbın qalınlığı t 180±20 um

8. 200um InGaAs Avalanche Fotodiod Çipinin Çatdırılması, Göndərilməsi və Xidməti

Bütün məhsullar göndərilməzdən əvvəl sınaqdan keçirilmişdir;

Bütün məhsullara 1-3 il zəmanət verilir.(Keyfiyyətə zəmanət müddətindən sonra müvafiq texniki xidmət haqqı tutulmağa başladı.)

Biz işinizi yüksək qiymətləndiririk və ani 7 günlük qaytarma siyasəti təklif edirik. (əşyaların qəbulundan 7 gün sonra);

Əgər mağazamızdan aldığınız məhsullar mükəmməl keyfiyyətə malik deyilsə, yəni onlar istehsalçının spesifikasiyasına uyğun elektron qaydada işləmirsə, sadəcə olaraq dəyişdirilməsi və ya pulunun geri qaytarılması üçün bizə qaytarın;

Əşyalar qüsurlu olarsa, çatdırıldıqdan sonra 3 gün ərzində bizə məlumat verin;

Hər hansı əşyalar geri qaytarılma və ya dəyişdirilməyə uyğun gəlmək üçün orijinal vəziyyətində qaytarılmalıdır;

Alıcı çəkdiyi bütün göndərmə xərclərinə cavabdehdir.

8. Tez-tez verilən suallar

S: Siz hansı aktiv sahəni istərdiniz?

A: bizdə 50um 200um 500um aktiv sahə InGaAs Avalanche Photodiode Chip var.

S: Bağlayıcı üçün tələb nədir?

A: Box Optronics tələblərinizə uyğun olaraq fərdiləşdirə bilər.

Qaynar Teqlər: 200um InGaAs Avalanche Fotodiod Çipi, İstehsalçılar, Təchizatçılar, Topdansatış, Zavod, Xüsusi, Toplu, Çin, Çin istehsalı, Ucuz, Aşağı Qiymət, Keyfiyyət

Əlaqədar Kateqoriya

Sorğu göndərin

Sorğunuzu aşağıdakı formada verməkdən çekinmeyin. 24 saat ərzində sizə cavab verəcəyik.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept